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중국 최대 메모리 반도체 회사인 양쯔메모리테크놀로지(長江存儲科技·YMTC)가 고대역폭메모리(HBM) 시장 진출을 계획하고 있다고 로이터 통신이 25일 보도했습니다. 

로이터는 복수의 업계 관계자의 말을 인용해 YMTC가 HBM을 포함한 D램 제조 분야로 사업을 확장할 계획이라고 전했습니다. 
국영 기업인 YMTC의 이 같은 행보에 대해 로이터는 "미국이 지난해 12월 대(對)중국 HBM 수출 통제를 확대한 이후, 첨단 반도체 제조 역량을 강화하려는 황금성3
긴박감이 커지고 있음을 보여준다"고 설명했습니다. 
YMTC는 고급 반도체 패키징 기술인 '실리콘 관통 전극(TSV)' 공정을 개발 중인 것으로 알려졌습니다. 
TSV는 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상·하단 칩을 전극으로 연결하고 적층해 고용량, 고대역폭을 구현하는 기술입니다.
현재 HBM은 SK하이닉스와 뽀빠이 릴게임
삼성전자, 미국의 마이크론 등 3개사만 제조하고 있습니다. 중국 기업 가운데서는 YMTC의 경쟁사인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 개발 단계에 있는 정도입니다. 
한 소식통은 YMTC가 우한에 건설 중인 신규 반도체 생산 시설의 일부를 D램 생산 라인으로 구축하는 것을 고려하고 있다고 로이터에 설명했습니다. 
로이터는 DMS 주식
사실 여부를 묻는 논평 요청에 YMTC가 답하지 않았으며, YMTC 신규 공장의 월간 생산 능력이나 D램 할당 규모에 관해서는 확인되지 않았다고 부연했습니다. 
한편, 중국 대표 빅테크(거대 정보기술기업)인 화웨이는 최근 자체 HBM 개발 성공을 공식화했습니다. 
업계에 따르면 화웨이는 내년 1분기 출시 예정인 신형 인공이퓨쳐 주식
지능(AI) 반도체 '어센드 950PR'에 자체 개발 HBM 제품 'HiBL 1.0'을 탑재할 계획입니다. 
화웨이는 HiBL 1.0이 128기가바이트(GB) 용량에 최대 1.6TB/s의 대역폭을 제공한다고 밝혔지만, 국내 업계에서는 실제 성능이 4세대 제품인 HBM3에 가까울 것으로 보고 있습니다. 
삼성전자와 SK하이KODEX구리선물(H) 주식
닉스의 5세대 HBM3E 12단의 대역폭과는 아직 기술을 격차가 있다는 뜻입니다. 


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